microgeek.eu

Witam!

W projekcie nad którym pracuję mam dużo wyjść na tranzystorach PMOS, nietypową rzeczą jest fakt, że są 2 napięcia "wyjściowe" - jest to albo 8V, albo 22V-28V. Pmos standardowo + bramki podciągnięte do plusa przez 10k i rezystor 100Ohm na bazę i przez te 2 napięcia pojawia się "problem" - gdy układ pracuje na 8V, a następnie na 24V to diodki podłączone testowo do wyjścia "migną" - zapewne jest to czas przeładowania bramki na wyższe napięcie.
Dodam, że napięcie 8V jest sterowalne on/off potem jest dioda zabezpieczająca przed cofką z 24V, natomiast 24V jest podawane przez przekaźnik.

Jak można pozbyć się tego efektu mignięcia? Pierwsza koncepcja to rozbicie trochę scieżek i podanie 24V najpierw na bramki, dopiero potem na dreny mosfetów, ale czy jest poprawna/elegancka?

Edit: schemat:

schemat

A czy schematu kawałek ewentualnie?

Przydałby się schemat.

Oczywiście - jeden schemat powie więcej niż ten cały opis:



Tak to wygląda.

Odwróć ten tranzystor.
A co się dzieje z wejściem jaki tam jest zakres napięć?

Dodałem schemat w pierwszym poście. Input tego układu to wyjście z ULNa2003 - czyli jego zadaniem jest ściągnąć bramkę do masy, a podciągnięcie do plusa załatwia ten rezystor 10k.

tak dla prządku, a ten ULN2003 to też jest albo 8v albo z 24V/ zasilany? tak trzeba z ciebie wyciągać te informacje (i ten drugi obrazek też podmień)

yyy ULN2003 nie ma zasilania przecież. Jedynie pin VCC(COM), który się używa przy uruchamianiu indukcyjności - tutaj nieużywany.

a no tak

W sumie nie wiem jaka masz tam sekwencję załączania tych napięć ale jak nie sterujesz dynamicznie bramkami, to może spróboj dołożyć pojemność równolegle do R2

Ale wtedy chyba napięcie na bramce będzie rosło jeszcze wolniej - więc efekt mignięcie będzie dłuższy. Już przy samych tych rezystorach jest to widoczne - na źródle pojawia się natychmiast 24V, a bramka ładuje się przez to 10k - robi się różnica napięć, która powoduje otwarcie mosfeta.
Poniekąd sam sobie odpowiedziałem jak to zmniejszyć - zmniejszyć wartość podciągnięcia, ale dalej szukam jakiegoś "ładnego" rozwiązania.

To mignięcie to czas ładowania pojemności złącza tranzystora przez rezystor R2.

dokładnie tak jest, dambo spróbowałeś z tym kondensatorem?

@PROTON - no tak - pytanie czy można to wyeliminować? Jak pisałem - wstępna koncepcja to rozdzielenie ścieżek w taki sposób, żeby mieć możliwość najpierw naładowania bramek, a potem reszty. Generalnie chodzi o to, ze w tego typu urządzeniach zazwyczaj daje się przekaźniki i tam tego efektu nie ma więc tu "niby" też ma go nie być.

@Wojtek Teraz zbieram koncepcje - dokładne testy zrobię jutro pod oscyloskopem itp.

Dlaczego używasz ULN zamiast specjalizowanego drivera dla MOSFETów, np TC426/7 ?
Całkiem możliwe, że poradziłby sobie też ze skokiem napięcia zasilania.

Obwody z opornikami polaryzującymi bramki i kondensatorami w obwodzie bramki to przeważnie słabe rozwiązania.
Dodatkowe pojemności na bramkach MOSFETów powodują że przebiegi na bramce są mało strome i tranzystory przez to się grzeją.

W założeniu to miało być proste i tanie - i ULNy tylko ściągają do masy i mają po kilka kanałów - mosfetów jest 64 - więc driverów też musiałoby być dużo.
Każde wyjście może być indywidualnie odpalane na ok 50ms. Ten motyw z mignięciem wyszedł przy testach i choć niczemu nie przeszkodził jeszcze mam się postarać go wyeliminować.

Trzeba by sprawdzić jak się zachowa tranzystor jeśli podłączysz przez R2 bramkę do 24V, czy wytrzyma taką polaryzację. Jeśli to nie jest JFET to powinno się udać. Poszukaj w kartach katalogowych jakie może Ugs napięcia przyjmować.

dambo pisze:W założeniu to miało być proste i tanie - i ULNy tylko ściągają do masy i mają po kilka kanałów - mosfetów jest 64 - więc driverów też musiałoby być dużo.
Każde wyjście może być indywidualnie odpalane na ok 50ms. Ten motyw z mignięciem wyszedł przy testach i choć niczemu nie przeszkodził jeszcze mam się postarać go wyeliminować.

ULNy nie nadają się do tego bo trzeba kombinować z elementami dyskretnymi. Przerabiałem ten temat i wiem, że tylko drivery wycisną z MOSFETów wszystko co najlepsze czyli szybkie, pewne przełączanie dużych prądów bez grzania.

Niestety sterowanie MOSFETami nie jest takie proste jakby się mogło wydawać. Do sterowania bramką trzeba stosować parę komplementarną, żeby uniknąć niespodzianek w postaci mignięcia diody. Daruj sobie kombinacje z kondensatorami, rezystorami, tranzystorami itp, bo to tylko strata czasu.

Przejrzyj ofertę Microchipa, możesz zamówić sample, przysyłają bez problemu po tygodniu od zamówienia.

To, że można lepiej to zrobić i pewniej, to nie musisz nikogo przekonywać , w zasadzie chyba każdy tu wie, że są specjalizowane układy sterujące, ale to jest też zabawa i smak pewien, spróbować na prostych elementach, posprawdzać pomierzyć i zobaczyć dlaczego tak można lub nie

Z prostszych rozwiązań:
- Spróbuj zmniejszyć R2 do minimum, czyli zrób dzielnik tak żeby w spoczynku napięcie na bramce było tuż nad Ugson.
- Inne rozwiązanie to rezygnacja z ujemnej szyny zasilania jako masy i potraktowanie jako punktu wspólnego źródła tranzystora, czyli tam gdzie się schodzą 24Vi 8V. Wtedy trzeba dać rezystor do minusa ale o mniejszej wartości niż 10k a zamiast ULN uzyć jakiegoś UDN.
Wspólny plus ma taką zaletę, że nie będzie miało znaczenia jakie napięcie akurat jest włączone 8 czy 24V.

Ja zrozumiałem dambo tak, że nie chce ruszać generalnie układu i zostawić ULNa, bo mu z rożnych powodów pasuje, a jedynie chce pozbyć się tego mignięcia diodą jak najmniejszymi środkami (w sensie zmian układowych).

Dziękuje wszystkim za rady!

Po kontakcie z osobą decyzyjną i przedstawieniu modyfikacji - wyszło, że mignięcie jednak może zostać. Jest to kwestia milisekundy i podłączone urządzenia do wyjść nie zareagują na to. W grę trochę wjechała też zależność szybko/dobrze/tanio - wybierz dwa :/

i nie pokusiłeś się o to żeby cokolwiek spróbować?

Sam z ciekawości sobie potem potestuję wasze rozwiązania - przydadzą się na przyszłość, ale w tym projekcie już tak zostanie.
Jak pisałem - wszystko działa ok w układzie - jedynie to "mignięcie" było do przegadania, czy tak może zostać, czy nie.